BIOS Setup 1.1
         

DRAM RAS# Precharge Time


Время предварительного заряда по RAS. Эта функция позволяет установить время (в тактах системной шины) для формирования сигнала RAS (иногда говорят о накоплении заряда по RAS) до начала цикла регенерации памяти. Уменьшение этого значения увеличивает быстродействие. Но если установлено недостаточное время, регенерация может быть некомплектной, что в итоге приведет к потере данных, находящихся в памяти. Возможные значения могут быть представлены в различном виде: в виде цифровых значений - "3", "4" и т.д.; с указанием системных тактов - "3 Clocks" или "1T". А ряд значений, как правило, следующий:

  • 0T

  • 1T

  • 2T

  • 3T

  • 4T

  • 5T

  • 6T

    • Опция может иметь множество названий:

  • DRAM RAS# Precharge Period

  • RAS# Precharge Time

  • RAS# Precharge Period

  • FPM DRAM RAS# Precharge

  • FPM RAS Precharge

  • RAS# Precharge

  • EDO RAS Precharge

  • EDO RAS# Precharge Time

  • EDO RAS Precharge Timing

  • FPM/EDO RAS# Precharge Time

    • Как видим, опция не потеряла своей актуальности с появлением EDO-памяти и, что интересно, затем также BEDO- и SDRAM- модулей: "BEDO RAS Precharge", "SDRAM RAS# Precharge", "SDRAM RAS Precharge Time".

    Правда, кроме привычных параметров типа "3T" или "2 Clks" в различных версиях BIOS стали "встречаться" новые виды значений, например, "Same as FPM" и "FPM-1T", "Fast" и "Normal", "Fast" и "Slow". Для последней пары параметров "Slow" (медленно) равносильно увеличению количества тактов, что повышает стабильность работы системы, поэтому значение "Fast" следует устанавливать в случае уверенности в качестве модулей памяти.



    Содержание раздела